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onsemi NVBG070N120M3S
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | NVBG070N120M3S |
| Código de Pieza EBEE | E820539231 |
| Paquete | D2PAK |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | D2PAK Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $17.4165 | $ 17.4165 |
| 5+ | $12.9187 | $ 64.5935 |
| 30+ | $11.9860 | $ 359.5800 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | onsemi NVBG070N120M3S | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 87mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 5pF | |
| Pd - Power Dissipation | 172W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 36A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.23nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 57pF | |
| Gate Charge(Qg) | 57nC |
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| 30+ | $11.9860 | $ 359.5800 |
