| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | MSCSM120VR1M11CT6AG |
| Código de Pieza EBEE | E817630977 |
| Paquete | - |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1,733.6665 | $ 1733.6665 |
| 200+ | $691.7447 | $ 138348.9400 |
| 500+ | $668.6300 | $ 334315.0000 |
| 1000+ | $657.2068 | $ 657206.8000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | Microchip Tech MSCSM120VR1M11CT6AG | |
| RoHS | ||
| Disipación de energía | 1.042kW | |
| Corriente de drenaje continuo | 251A | |
| Tipo de canal | 2 N-Channel | |
| Voltaje de fuentes de drenaje | 1200V |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1,733.6665 | $ 1733.6665 |
| 200+ | $691.7447 | $ 138348.9400 |
| 500+ | $668.6300 | $ 334315.0000 |
| 1000+ | $657.2068 | $ 657206.8000 |
