| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | MSCSM120AM31TBL1NG |
| Código de Pieza EBEE | E817211088 |
| Paquete | - |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Por favor envíe una RFQ, responderemos de inmediato.
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $488.5712 | $ 488.5712 |
| 200+ | $194.9433 | $ 38988.6600 |
| 500+ | $188.4291 | $ 94214.5500 |
| 1000+ | $185.2103 | $ 185210.3000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | Microchip Tech MSCSM120AM31TBL1NG | |
| RoHS | ||
| Disipación de energía | 310W | |
| Corriente de drenaje continuo | 79A | |
| Tipo de canal | 2 N-Channel | |
| Voltaje de fuentes de drenaje | 1200V |
Por favor envíe una RFQ, responderemos de inmediato.
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $488.5712 | $ 488.5712 |
| 200+ | $194.9433 | $ 38988.6600 |
| 500+ | $188.4291 | $ 94214.5500 |
| 1000+ | $185.2103 | $ 185210.3000 |
