| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | MSC015SMA070B4 |
| Código de Pieza EBEE | E83281099 |
| Paquete | TO-247-4 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $77.8458 | $ 77.8458 |
| 30+ | $74.7664 | $ 2242.9920 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | Microchip Tech MSC015SMA070B4 | |
| RoHS | ||
| Tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 19mΩ | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+175℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 29pF | |
| Pd - Power Dissipation | 455W | |
| Drain to Source Voltage | 700V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 140A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.5nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 510pF | |
| Gate Charge(Qg) | 215nC |
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $77.8458 | $ 77.8458 |
| 30+ | $74.7664 | $ 2242.9920 |
