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MDD(Microdiode Semiconductor) MDDG2C170R045K3
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | MDDG2C170R045K3 |
| Código de Pieza EBEE | E822370507 |
| Paquete | TO-247-3L |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | None |
| Descripción | TO-247-3L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $81.6860 | $ 81.6860 |
| 200+ | $32.5939 | $ 6518.7800 |
| 450+ | $31.5051 | $ 14177.2950 |
| 900+ | $30.9659 | $ 27869.3100 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | MDD(Microdiode Semiconductor) MDDG2C170R045K3 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | - | |
| Disipación de energía | - | |
| Total carga de la puerta | - | |
| Corriente de drenaje continuo | 72A | |
| Reverse transferencia Capacitance | - | |
| Capacitación de entrada | - | |
| Configuración | - | |
| Tipo de canal | 1 N-Channel | |
| Drain-Source Resistencia al Estado (15V) | - | |
| Drain-Source Resistencia estatal (18V) | - | |
| Resistencia en estado de la fuente de drenaje (20V) | - | |
| Tipo encapsulado | - | |
| Resistencia del estado de la fuente de drenaje (10V) | - | |
| Voltaje de fuentes de drenaje | 1700V | |
| Tensores de la fuente de drenaje | - |
Guía de compra
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $81.6860 | $ 81.6860 |
| 200+ | $32.5939 | $ 6518.7800 |
| 450+ | $31.5051 | $ 14177.2950 |
| 900+ | $30.9659 | $ 27869.3100 |
