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MDD(Microdiode Semiconductor) MDDG2C120R016K3
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | MDDG2C120R016K3 |
| Código de Pieza EBEE | E822370506 |
| Paquete | TO-247-3L |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | None |
| Descripción | TO-247-3L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $111.6382 | $ 111.6382 |
| 200+ | $44.5454 | $ 8909.0800 |
| 450+ | $43.0572 | $ 19375.7400 |
| 900+ | $42.3208 | $ 38088.7200 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | MDD(Microdiode Semiconductor) MDDG2C120R016K3 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | - | |
| Disipación de energía | - | |
| Total carga de la puerta | - | |
| Corriente de drenaje continuo | 115A | |
| Reverse transferencia Capacitance | - | |
| Capacitación de entrada | - | |
| Configuración | - | |
| Tipo de canal | 1 N-Channel | |
| Drain-Source Resistencia al Estado (15V) | - | |
| Drain-Source Resistencia estatal (18V) | - | |
| Resistencia en estado de la fuente de drenaje (20V) | - | |
| Tipo encapsulado | - | |
| Resistencia del estado de la fuente de drenaje (10V) | - | |
| Voltaje de fuentes de drenaje | 1200V | |
| Tensores de la fuente de drenaje | - |
Guía de compra
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $111.6382 | $ 111.6382 |
| 200+ | $44.5454 | $ 8909.0800 |
| 450+ | $43.0572 | $ 19375.7400 |
| 900+ | $42.3208 | $ 38088.7200 |
