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MDD(Microdiode Semiconductor) MDDG1C120R080K3


Fabricante
Código de Pieza del Fabricante
MDDG1C120R080K3
Código de Pieza EBEE
E822370504
Paquete
TO-247-3L
Número de Cliente
Hoja de Datos
Modelos EDA
ECCN
None
Descripción
TO-247-3L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
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Nombre de Contacto
Correo Empresarial
Nombre de la Empresa
País
Calidad
Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
Cant.Precio UnitarioPrecio Ext.
1+$17.1546$ 17.1546
200+$6.8447$ 1368.9400
450+$6.6162$ 2977.2900
900+$6.5045$ 5854.0500
TipoDescripción
Seleccionar Todo
CategoríaDispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET)
Hoja de DatosMDD(Microdiode Semiconductor) MDDG1C120R080K3
RoHS
Temperatura de funcionamiento-
Disipación de energía-
Total carga de la puerta-
Corriente de drenaje continuo36A
Reverse transferencia Capacitance-
Capacitación de entrada-
Configuración-
Tipo de canal1 N-Channel
Drain-Source Resistencia al Estado (15V)-
Drain-Source Resistencia estatal (18V)-
Resistencia en estado de la fuente de drenaje (20V)-
Tipo encapsulado-
Resistencia del estado de la fuente de drenaje (10V)-
Voltaje de fuentes de drenaje1200V
Tensores de la fuente de drenaje-

Guía de compra

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