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LGE LGE3M80120Q
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | LGE3M80120Q |
| Código de Pieza EBEE | E828148575 |
| Paquete | TO-247-4 |
| Número de Cliente | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $17.7271 | $ 17.7271 |
| 200+ | $7.0749 | $ 1414.9800 |
| 500+ | $6.8378 | $ 3418.9000 |
| 1000+ | $6.7201 | $ 6720.1000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| RoHS |
Guía de compra
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| 500+ | $6.8378 | $ 3418.9000 |
| 1000+ | $6.7201 | $ 6720.1000 |
