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LGE LGE3M650170B
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | LGE3M650170B |
| Código de Pieza EBEE | E842372481 |
| Paquete | TO-247-3 |
| Número de Cliente | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $9.9715 | $ 9.9715 |
| 210+ | $3.9792 | $ 835.6320 |
| 510+ | $3.8471 | $ 1962.0210 |
| 990+ | $3.7801 | $ 3742.2990 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| RoHS |
Guía de compra
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| 510+ | $3.8471 | $ 1962.0210 |
| 990+ | $3.7801 | $ 3742.2990 |
