Recommonended For You
Las imágenes son solo para referencia
Añadir a Favoritos
LGE LGE3M40120Q
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | LGE3M40120Q |
| Código de Pieza EBEE | E825402767 |
| Paquete | TO-247-4 |
| Número de Cliente | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
¡Estos materiales soportan cables personalizados!
Saber más >>En Stock : Por favor consulte
Por favor envíe una RFQ, responderemos de inmediato.
Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $27.6986 | $ 27.6986 |
| 200+ | $11.0523 | $ 2210.4600 |
| 500+ | $10.6830 | $ 5341.5000 |
| 1000+ | $10.5002 | $ 10500.2000 |
Recomendado Para Ti
Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| RoHS |
Guía de compra
Expandir
En Stock : Por favor consulte
Por favor envíe una RFQ, responderemos de inmediato.
Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $27.6986 | $ 27.6986 |
| 200+ | $11.0523 | $ 2210.4600 |
| 500+ | $10.6830 | $ 5341.5000 |
| 1000+ | $10.5002 | $ 10500.2000 |
