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LGE LGE3M35120Q
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | LGE3M35120Q |
| Código de Pieza EBEE | E827035429 |
| Paquete | TO-247-4 |
| Número de Cliente | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $28.8066 | $ 28.8066 |
| 200+ | $11.4940 | $ 2298.8000 |
| 500+ | $11.1103 | $ 5555.1500 |
| 1000+ | $10.9202 | $ 10920.2000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| RoHS |
Guía de compra
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| 1000+ | $10.9202 | $ 10920.2000 |
