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LGE LGE3M18120Q
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | LGE3M18120Q |
| Código de Pieza EBEE | E828451336 |
| Paquete | TO-247-4 |
| Número de Cliente | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $60.9369 | $ 60.9369 |
| 200+ | $24.3150 | $ 4863.0000 |
| 500+ | $23.5022 | $ 11751.1000 |
| 1000+ | $23.1003 | $ 23100.3000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| RoHS |
Guía de compra
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| 1000+ | $23.1003 | $ 23100.3000 |
