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InventChip IV1Q12160D7Z
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | IV1Q12160D7Z |
| Código de Pieza EBEE | E85806850 |
| Paquete | TO-263-7 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $10.1522 | $ 10.1522 |
| 10+ | $8.7403 | $ 87.4030 |
| 30+ | $7.7583 | $ 232.7490 |
| 100+ | $7.0363 | $ 703.6300 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | InventChip IV1Q12160D7Z | |
| RoHS | ||
| Drain to Source Voltage | 1.2kV |
Guía de compra
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
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| 10+ | $8.7403 | $ 87.4030 |
| 30+ | $7.7583 | $ 232.7490 |
| 100+ | $7.0363 | $ 703.6300 |
