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InventChip IV1Q06060T3G
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | IV1Q06060T3G |
| Código de Pieza EBEE | E85806838 |
| Paquete | TO-247-3 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
¡Estos materiales soportan cables personalizados!
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $11.9598 | $ 11.9598 |
| 10+ | $10.2769 | $ 102.7690 |
| 30+ | $8.8867 | $ 266.6010 |
| 90+ | $8.0254 | $ 722.2860 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | InventChip IV1Q06060T3G | |
| RoHS | ||
| Drain to Source Voltage | 650V |
Guía de compra
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
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| 10+ | $10.2769 | $ 102.7690 |
| 30+ | $8.8867 | $ 266.6010 |
| 90+ | $8.0254 | $ 722.2860 |
