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InventChip IV1B12013HA1L
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | IV1B12013HA1L |
| Código de Pieza EBEE | E85806854 |
| Paquete | Through Hole,62.8x33.8mm |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
¡Estos materiales soportan cables personalizados!
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $151.0078 | $ 151.0078 |
| 30+ | $145.5011 | $ 4365.0330 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | InventChip IV1B12013HA1L | |
| RoHS | ||
| Drain to Source Voltage | 1.2kV |
Guía de compra
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
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| 30+ | $145.5011 | $ 4365.0330 |
