Recommonended For You
Las imágenes son solo para referencia
Añadir a Favoritos
Infineon Technologies IMZ120R030M1HXKSA1
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | IMZ120R030M1HXKSA1 |
| Código de Pieza EBEE | E83289091 |
| Paquete | TO-247-4 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | TO-247-4-1 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
¡Estos materiales soportan cables personalizados!
Saber más >>48 En Stock para Envío Rápido
48 disponible para envío inmediatoPuede Enviarse en 1-2 Días Hábiles
Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $13.4510 | $ 13.4510 |
| 10+ | $11.7950 | $ 117.9500 |
| 30+ | $10.7852 | $ 323.5560 |
| 90+ | $9.9390 | $ 894.5100 |
¿Mejor precio para mayor cantidad?
$
Recomendado Para Ti
Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | Infineon Technologies IMZ120R030M1HXKSA1 | |
| RoHS | ||
| Tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 30mΩ | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+175℃ | |
| Pd - Power Dissipation | 227W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 56A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.12nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 116pF | |
| Gate Charge(Qg) | 63nC |
Guía de compra
Expandir
48 Stock for Shipping Fast
48 available for immediate shippingPuede Enviarse en 1-2 Días Hábiles
Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $13.4510 | $ 13.4510 |
| 10+ | $11.7950 | $ 117.9500 |
| 30+ | $10.7852 | $ 323.5560 |
| 90+ | $9.9390 | $ 894.5100 |
¿Mejor precio para mayor cantidad?
$
