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Infineon Technologies IMW120R350M1HXKSA1
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | IMW120R350M1HXKSA1 |
| Código de Pieza EBEE | E82997926 |
| Paquete | TO-247-3 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
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| 90+ | $3.5468 | $ 319.2120 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | Infineon Technologies IMW120R350M1HXKSA1 | |
| RoHS | ||
| Tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 350mΩ | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+175℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 1pF | |
| Pd - Power Dissipation | 60W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 182pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 10pF | |
| Gate Charge(Qg) | 5.3nC |
Guía de compra
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| 1+ | $5.3651 | $ 5.3651 |
| 10+ | $4.5365 | $ 45.3650 |
| 30+ | $4.0455 | $ 121.3650 |
| 90+ | $3.5468 | $ 319.2120 |
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