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Infineon Technologies IMBG65R048M1HXTMA1
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | IMBG65R048M1HXTMA1 |
| Código de Pieza EBEE | E83276336 |
| Paquete | TO-263-7 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $7.0196 | $ 7.0196 |
| 10+ | $6.8368 | $ 68.3680 |
| 30+ | $6.7155 | $ 201.4650 |
| 100+ | $6.5942 | $ 659.4200 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | Infineon Technologies IMBG65R048M1HXTMA1 | |
| RoHS | ||
| Tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 64mΩ | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+175℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 13pF | |
| Pd - Power Dissipation | 183W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 45A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.118nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 168pF | |
| Gate Charge(Qg) | 33nC |
Guía de compra
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| 10+ | $6.8368 | $ 68.3680 |
| 30+ | $6.7155 | $ 201.4650 |
| 100+ | $6.5942 | $ 659.4200 |
