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Infineon Technologies IMBG120R045M1HXTMA1
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | IMBG120R045M1HXTMA1 |
| Código de Pieza EBEE | E83279262 |
| Paquete | TO-263-7-12 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | TO-263-7-12 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | Infineon Technologies IMBG120R045M1HXTMA1 | |
| RoHS | ||
| Tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 45mΩ | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+175℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 7.3pF | |
| Pd - Power Dissipation | 227W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 47A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.527nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 70pF | |
| Gate Charge(Qg) | 46nC |
Guía de compra
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