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HXY MOSFET HC3M0015065D
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | HC3M0015065D |
| Código de Pieza EBEE | E819723863 |
| Paquete | TO-247 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | TO-247-3L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | HXY MOSFET HC3M0015065D | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 21mΩ | |
| Operating Temperature - | -40℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 31pF | |
| Pd - Power Dissipation | 416W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 120A | |
| Ciss-Input Capacitance | 501pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 289pF | |
| Gate Charge(Qg) | 188nC |
Guía de compra
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