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HXY MOSFET HC2M0650170D
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | HC2M0650170D |
| Código de Pieza EBEE | E841428806 |
| Paquete | TO-247 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | TO-247 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.2789 | $ 5.2789 |
| 10+ | $4.5304 | $ 45.3040 |
| 30+ | $4.0852 | $ 122.5560 |
| 90+ | $3.6340 | $ 327.0600 |
| 510+ | $3.4257 | $ 1747.1070 |
| 990+ | $3.3321 | $ 3298.7790 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | HXY MOSFET HC2M0650170D | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | - | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 2.1pF | |
| Pd - Power Dissipation | 62W | |
| Drain to Source Voltage | 1.7kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 198pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 13pF | |
| Gate Charge(Qg) | 23nC |
Guía de compra
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.2789 | $ 5.2789 |
| 10+ | $4.5304 | $ 45.3040 |
| 30+ | $4.0852 | $ 122.5560 |
| 90+ | $3.6340 | $ 327.0600 |
| 510+ | $3.4257 | $ 1747.1070 |
| 990+ | $3.3321 | $ 3298.7790 |
