| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | GA50JT06-258 |
| Código de Pieza EBEE | E86049356 |
| Paquete | TO-258 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | TO-258 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $782.7519 | $ 782.7519 |
| 200+ | $735.1614 | $ 147032.2800 |
| 500+ | $710.5941 | $ 355297.0500 |
| 1000+ | $698.4555 | $ 698455.5000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | GeneSiC Semiconductor GA50JT06-258 | |
| RoHS |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $782.7519 | $ 782.7519 |
| 200+ | $735.1614 | $ 147032.2800 |
| 500+ | $710.5941 | $ 355297.0500 |
| 1000+ | $698.4555 | $ 698455.5000 |
