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GeneSiC Semiconductor GA10JT12-263
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | GA10JT12-263 |
| Código de Pieza EBEE | E83282332 |
| Paquete | - |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
¡Estos materiales soportan cables personalizados!
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $18.1843 | $ 18.1843 |
| 200+ | $7.0374 | $ 1407.4800 |
| 500+ | $6.7908 | $ 3395.4000 |
| 1000+ | $6.6683 | $ 6668.3000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | GeneSiC Semiconductor GA10JT12-263 | |
| RoHS | ||
| Disipación de energía | 170W | |
| Corriente de drenaje continuo | 25A | |
| Voltaje de fuentes de drenaje | 1200V |
Guía de compra
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $18.1843 | $ 18.1843 |
| 200+ | $7.0374 | $ 1407.4800 |
| 500+ | $6.7908 | $ 3395.4000 |
| 1000+ | $6.6683 | $ 6668.3000 |
