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GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | G3R60MT07J |
| Código de Pieza EBEE | E83291146 |
| Paquete | TO-263-7 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $27.5577 | $ 27.5577 |
| 200+ | $10.6646 | $ 2132.9200 |
| 500+ | $10.2897 | $ 5144.8500 |
| 1000+ | $10.1052 | $ 10105.2000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J | |
| RoHS | ||
| Voltaje de fuentes de drenaje | 750V |
Guía de compra
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| 500+ | $10.2897 | $ 5144.8500 |
| 1000+ | $10.1052 | $ 10105.2000 |
