| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | G3R40MT12K |
| Código de Pieza EBEE | E83290745 |
| Paquete | TO-247-4 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $20.1539 | $ 20.1539 |
| 200+ | $7.8005 | $ 1560.1000 |
| 500+ | $7.5254 | $ 3762.7000 |
| 1000+ | $7.3905 | $ 7390.5000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | GeneSiC Semiconductor G3R40MT12K | |
| RoHS | ||
| Disipación de energía | 333W | |
| Corriente de drenaje continuo | 71A | |
| Tipo de canal | 1 N-Channel | |
| Voltaje de fuentes de drenaje | 1200V |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $20.1539 | $ 20.1539 |
| 200+ | $7.8005 | $ 1560.1000 |
| 500+ | $7.5254 | $ 3762.7000 |
| 1000+ | $7.3905 | $ 7390.5000 |
