Recommonended For You
Las imágenes son solo para referencia
Añadir a Favoritos
GeneSiC Semiconductor G3R40MT12D
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | G3R40MT12D |
| Código de Pieza EBEE | E83281044 |
| Paquete | TO-247-3 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
¡Estos materiales soportan cables personalizados!
Saber más >>En Stock : Por favor consulte
Por favor envíe una RFQ, responderemos de inmediato.
Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $42.5408 | $ 42.5408 |
| 200+ | $16.4625 | $ 3292.5000 |
| 500+ | $15.8845 | $ 7942.2500 |
| 1000+ | $15.5983 | $ 15598.3000 |
Recomendado Para Ti
Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | GeneSiC Semiconductor G3R40MT12D | |
| RoHS | ||
| Disipación de energía | 333W | |
| Corriente de drenaje continuo | 71A | |
| Tipo de canal | 1 N-Channel | |
| Voltaje de fuentes de drenaje | 1200V |
Guía de compra
Expandir
En Stock : Por favor consulte
Por favor envíe una RFQ, responderemos de inmediato.
Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $42.5408 | $ 42.5408 |
| 200+ | $16.4625 | $ 3292.5000 |
| 500+ | $15.8845 | $ 7942.2500 |
| 1000+ | $15.5983 | $ 15598.3000 |
