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GeneSiC Semiconductor G3R350MT12J
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | G3R350MT12J |
| Código de Pieza EBEE | E86203464 |
| Paquete | TO-263-7 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $16.7708 | $ 16.7708 |
| 200+ | $6.6916 | $ 1338.3200 |
| 500+ | $6.4685 | $ 3234.2500 |
| 1000+ | $6.3588 | $ 6358.8000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | GeneSiC Semiconductor G3R350MT12J | |
| RoHS | ||
| Disipación de energía | 75W | |
| Corriente de drenaje continuo | 11A | |
| Tipo de canal | 1 N-Channel | |
| Voltaje de fuentes de drenaje | 1200V |
Guía de compra
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| 200+ | $6.6916 | $ 1338.3200 |
| 500+ | $6.4685 | $ 3234.2500 |
| 1000+ | $6.3588 | $ 6358.8000 |
