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GeneSiC Semiconductor G3R20MT12K
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | G3R20MT12K |
| Código de Pieza EBEE | E83290744 |
| Paquete | TO-247-4 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $92.1704 | $ 92.1704 |
| 200+ | $35.6689 | $ 7133.7800 |
| 500+ | $34.4163 | $ 17208.1500 |
| 1000+ | $33.7963 | $ 33796.3000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | GeneSiC Semiconductor G3R20MT12K | |
| RoHS | ||
| Disipación de energía | 542W | |
| Corriente de drenaje continuo | 128A | |
| Tipo de canal | 1 N-Channel | |
| Voltaje de fuentes de drenaje | 1200V |
Guía de compra
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $92.1704 | $ 92.1704 |
| 200+ | $35.6689 | $ 7133.7800 |
| 500+ | $34.4163 | $ 17208.1500 |
| 1000+ | $33.7963 | $ 33796.3000 |
