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GeneSiC Semiconductor G3R12MT12K
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | G3R12MT12K |
| Código de Pieza EBEE | E86048360 |
| Paquete | TO-247-4 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $163.6173 | $ 163.6173 |
| 210+ | $65.2846 | $ 13709.7660 |
| 510+ | $63.1045 | $ 32183.2950 |
| 990+ | $62.0259 | $ 61405.6410 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | GeneSiC Semiconductor G3R12MT12K | |
| RoHS | ||
| Disipación de energía | 567W | |
| Corriente de drenaje continuo | 157A | |
| Tipo de canal | 1 N-Channel | |
| Voltaje de fuentes de drenaje | 1200V |
Guía de compra
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
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| 210+ | $65.2846 | $ 13709.7660 |
| 510+ | $63.1045 | $ 32183.2950 |
| 990+ | $62.0259 | $ 61405.6410 |
