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GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | G2R1000MT17J |
| Código de Pieza EBEE | E83291152 |
| Paquete | TO-263-7 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $14.4649 | $ 14.4649 |
| 200+ | $5.5983 | $ 1119.6600 |
| 500+ | $5.4026 | $ 2701.3000 |
| 1000+ | $5.3039 | $ 5303.9000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | - | |
| Disipación de energía | 54W | |
| Total carga de la puerta | - | |
| Corriente de drenaje continuo | 5A | |
| Reverse transferencia Capacitance | - | |
| Capacitación de entrada | - | |
| Capacitación de salida | - | |
| Configuración | - | |
| Tipo de canal | 1 N-Channel | |
| Drain-Source Resistencia al Estado (15V) | - | |
| Drain-Source Resistencia estatal (18V) | - | |
| Resistencia en estado de la fuente de drenaje (20V) | - | |
| Tipo encapsulado | - | |
| Resistencia del estado de la fuente de drenaje (10V) | - | |
| Voltaje de fuentes de drenaje | 1700V | |
| Tensores de la fuente de drenaje | - |
Guía de compra
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $14.4649 | $ 14.4649 |
| 200+ | $5.5983 | $ 1119.6600 |
| 500+ | $5.4026 | $ 2701.3000 |
| 1000+ | $5.3039 | $ 5303.9000 |
