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ANHI ADR065N028AH
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | ADR065N028AH |
| Código de Pieza EBEE | E822470093 |
| Paquete | TOLL |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descripción | TOLL Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
¡Estos materiales soportan cables personalizados!
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5 disponible para envío inmediatoPuede Enviarse en 1-2 Días Hábiles
Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $9.0578 | $ 9.0578 |
| 10+ | $7.7829 | $ 77.8290 |
| 30+ | $7.0065 | $ 210.1950 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | ANHI ADR065N028AH | |
| RoHS | ||
| Tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 45mΩ | |
| Temperatura de funcionamiento - | -55℃~+175℃ | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 12.9pF | |
| Pd - Power Dissipation | 294W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.333nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 226.7pF | |
| Gate Charge(Qg) | 97.6nC |
Guía de compra
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