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AnBon AS1M025120T
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | AS1M025120T |
| Código de Pieza EBEE | E85569900 |
| Paquete | TO-247-4 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $16.6782 | $ 16.6782 |
| 210+ | $6.6553 | $ 1397.6130 |
| 510+ | $6.4325 | $ 3280.5750 |
| 990+ | $6.3230 | $ 6259.7700 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | AnBon AS1M025120T | |
| RoHS | ||
| Disipación de energía | 370W | |
| Corriente de drenaje continuo | 65A | |
| Tipo de canal | 1 N-Channel | |
| Voltaje de fuentes de drenaje | 1200V |
Guía de compra
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| 210+ | $6.6553 | $ 1397.6130 |
| 510+ | $6.4325 | $ 3280.5750 |
| 990+ | $6.3230 | $ 6259.7700 |
