| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | AS1M025120P |
| Código de Pieza EBEE | E87217740 |
| Paquete | TO-247-3 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $16.6691 | $ 16.6691 |
| 210+ | $6.6516 | $ 1396.8360 |
| 510+ | $6.4290 | $ 3278.7900 |
| 990+ | $6.3194 | $ 6256.2060 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Dispositivos de Carbide de Silicon (SiC) ,Transistor de efecto de campo de carbide de silicio (MOSFET) | |
| Hoja de Datos | AnBon AS1M025120P | |
| RoHS |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $16.6691 | $ 16.6691 |
| 210+ | $6.6516 | $ 1396.8360 |
| 510+ | $6.4290 | $ 3278.7900 |
| 990+ | $6.3194 | $ 6256.2060 |
