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Tokmas CID18N65D
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | CID18N65D |
| EBEE-Teilenummer | E822446733 |
| Gehäuse | DFN-8(8x8) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | DFN-8(8x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
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| 10+ | $1.0354 | $ 10.3540 |
| 30+ | $0.9124 | $ 27.3720 |
| 100+ | $0.7878 | $ 78.7800 |
| 500+ | $0.7255 | $ 362.7500 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Gallium Nitride (GaN) Devices ,GaN Transistors(GaN HEMT) | |
| Datenblatt | Tokmas CID18N65D | |
| RoHS | ||
| Type | 1 N-channel | |
| RDS(on) | 100mΩ@10V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 0.5pF | |
| Pd - Power Dissipation | 113W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 17A | |
| Ciss-Input Capacitance | 125pF | |
| Gate Charge(Qg) | 3.3nC |
Einkaufsleitfaden
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