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HXY MOSFET HCG65200DAA
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | HCG65200DAA |
| EBEE-Teilenummer | E822396442 |
| Gehäuse | DFN-8(8x8) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | DFN-8(8x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Gallium Nitride (GaN) Geräte ,GaN Transistoren (GaN HEMT) | |
| Datenblatt | HXY MOSFET HCG65200DAA | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 160mΩ | |
| Pd - Power Dissipation | 75W | |
| Drain to Source Voltage | 650V |
Einkaufsleitfaden
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