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HXY MOSFET HIGLD60R190D1
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | HIGLD60R190D1 |
| EBEE-Teilenummer | E841426365 |
| Gehäuse | DFN-8(8x8) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | DFN-8(8x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Gallium Nitride (GaN) Geräte ,GaN Transistoren (GaN HEMT) | |
| Datenblatt | HXY MOSFET HIGLD60R190D1 | |
| RoHS | ||
| Typ | 1 N-channel | |
| RDS(on) | 160mΩ@6V | |
| Betriebstemperatur - | - | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | - | |
| Pd - Power Dissipation | 75W | |
| Drain to Source Voltage | - | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Output Capacitance(Coss) | - | |
| Gate Charge(Qg) | - |
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