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GOSEMICON GBG65200NMAR
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | GBG65200NMAR |
| EBEE-Teilenummer | E828324645 |
| Gehäuse | PDFN-9L(8x8) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | PDFN-9L(8x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Gallium Nitride (GaN) Devices ,GaN Transistors(GaN HEMT) | |
| Datenblatt | GOSEMICON GBG65200NMAR | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 140mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 0.8pF | |
| Pd - Power Dissipation | 83W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 11A | |
| Ciss-Input Capacitance | 68pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 30pF | |
| Gate Charge(Qg) | 1.9nC |
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