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HXY MOSFET HCG65140DBA
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | HCG65140DBA |
| EBEE-Teilenummer | E822396445 |
| Gehäuse | DFN-8L(5x6) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | DFN-8L(5x6) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
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| 30+ | $2.3008 | $ 69.0240 |
| 100+ | $2.0550 | $ 205.5000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Gallium Nitride (GaN) Devices ,GaN Transistors(GaN HEMT) | |
| Datenblatt | HXY MOSFET HCG65140DBA | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 100mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 0.5pF | |
| Pd - Power Dissipation | 113W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 17A | |
| Ciss-Input Capacitance | 125pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 40pF | |
| Gate Charge(Qg) | 3.3nC |
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