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HXY MOSFET HCG65200DBA
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | HCG65200DBA |
| EBEE-Teilenummer | E822396443 |
| Gehäuse | DFN-8L(5x6) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | DFN-8L(5x6) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
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Kann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $4.3764 | $ 4.3764 |
| 10+ | $4.2730 | $ 42.7300 |
| 30+ | $4.2040 | $ 126.1200 |
| 100+ | $4.1350 | $ 413.5000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Gallium Nitride (GaN) Geräte ,GaN Transistoren (GaN HEMT) | |
| Datenblatt | HXY MOSFET HCG65200DBA | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 160mΩ | |
| Pd - Power Dissipation | 75W | |
| Drain to Source Voltage | 650V |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
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