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Tokmas CID10N65F
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | CID10N65F |
| EBEE-Teilenummer | E822446732 |
| Gehäuse | TO-220F-3L |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-220F-3L GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 10+ | $0.8814 | $ 8.8140 |
| 50+ | $0.7746 | $ 38.7300 |
| 100+ | $0.6537 | $ 65.3700 |
| 500+ | $0.5995 | $ 299.7500 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Gallium Nitride (GaN) Devices ,GaN Transistors(GaN HEMT) | |
| Datenblatt | Tokmas CID10N65F | |
| RoHS | ||
| Type | 1 N-channel | |
| RDS(on) | 160mΩ@6V | |
| Operating Temperature - | -50℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 0.4pF | |
| Pd - Power Dissipation | 75W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 83pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 27pF | |
| Gate Charge(Qg) | 2.3nC |
Einkaufsleitfaden
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