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PN Junction Semiconductor P1H06300D8
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | P1H06300D8 |
| EBEE-Teilenummer | E85840753 |
| Gehäuse | DFN8080-8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| Beschreibung | DFN8080-8 GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $11.3688 | $ 11.3688 |
| 200+ | $4.5361 | $ 907.2200 |
| 500+ | $4.3844 | $ 2192.2000 |
| 1000+ | $4.3095 | $ 4309.5000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Gallium Nitride (GaN) Geräte ,GaN Transistoren (GaN HEMT) | |
| Datenblatt | PN Junction Semiconductor P1H06300D8 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Ableitung der Stromableitung | 55.5W | |
| Drain Quelle Aufschlüsselung | 650V | |
| Transistortyp | 1 N-Channel | |
| Dauerstrom | 10A |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
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| 500+ | $4.3844 | $ 2192.2000 |
| 1000+ | $4.3095 | $ 4309.5000 |
