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NXP Semicon A3G26H200W17SR3
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | A3G26H200W17SR3 |
| EBEE-Teilenummer | E83288699 |
| Gehäuse | NI-780S-4S2S |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | NI-780S-4S2S GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $239.8924 | $ 239.8924 |
| 250+ | $92.8358 | $ 23208.9500 |
| 500+ | $89.5727 | $ 44786.3500 |
| 1000+ | $87.9614 | $ 87961.4000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Gallium Nitride (GaN) Geräte ,GaN Transistoren (GaN HEMT) | |
| Datenblatt | NXP Semicon A3G26H200W17SR3 | |
| RoHS |
Einkaufsleitfaden
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