| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | A3G20S250-01SR3 |
| EBEE-Teilenummer | E83282794 |
| Gehäuse | - |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $203.2738 | $ 203.2738 |
| 250+ | $78.6653 | $ 19666.3250 |
| 500+ | $75.9008 | $ 37950.4000 |
| 1000+ | $74.5345 | $ 74534.5000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Gallium Nitride (GaN) Geräte ,GaN Transistoren (GaN HEMT) | |
| Datenblatt | NXP Semicon A3G20S250-01SR3 | |
| RoHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $203.2738 | $ 203.2738 |
| 250+ | $78.6653 | $ 19666.3250 |
| 500+ | $75.9008 | $ 37950.4000 |
| 1000+ | $74.5345 | $ 74534.5000 |
