| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | A3G18H500-04SR3 |
| EBEE-Teilenummer | E85196407 |
| Gehäuse | SOT-1826-1 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | SOT-1826-1 GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $470.5000 | $ 470.5000 |
| 250+ | $182.0784 | $ 45519.6000 |
| 500+ | $175.6795 | $ 87839.7500 |
| 1000+ | $172.5167 | $ 172516.7000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Gallium Nitride (GaN) Geräte ,GaN Transistoren (GaN HEMT) | |
| Datenblatt | NXP Semicon A3G18H500-04SR3 | |
| RoHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $470.5000 | $ 470.5000 |
| 250+ | $182.0784 | $ 45519.6000 |
| 500+ | $175.6795 | $ 87839.7500 |
| 1000+ | $172.5167 | $ 172516.7000 |
