| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | YHJ-65P080DA |
| EBEE-Teilenummer | E837328928 |
| Gehäuse | DFN-8(8x8) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | DFN-8(8x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $10.9205 | $ 10.9205 |
| 200+ | $4.3576 | $ 871.5200 |
| 500+ | $4.2130 | $ 2106.5000 |
| 1000+ | $4.1399 | $ 4139.9000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Gallium Nitride (GaN) Geräte ,GaN Transistoren (GaN HEMT) | |
| Datenblatt | NITRIDE YHJ-65P080DA | |
| RoHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $10.9205 | $ 10.9205 |
| 200+ | $4.3576 | $ 871.5200 |
| 500+ | $4.2130 | $ 2106.5000 |
| 1000+ | $4.1399 | $ 4139.9000 |
