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miracle MGZ18N65
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | MGZ18N65 |
| EBEE-Teilenummer | E817702019 |
| Gehäuse | DFN8x8-3L |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | DFN8x8-3L GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6663 | $ 0.6663 |
| 10+ | $0.5402 | $ 5.4020 |
| 30+ | $0.4780 | $ 14.3400 |
| 100+ | $0.4141 | $ 41.4100 |
| 500+ | $0.3768 | $ 188.4000 |
| 1000+ | $0.3581 | $ 358.1000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Gallium Nitride (GaN) Geräte ,GaN Transistoren (GaN HEMT) | |
| Datenblatt | miracle MGZ18N65 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 150mΩ | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 1pF | |
| Pd - Power Dissipation | 52W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 13A | |
| Ciss-Input Capacitance | 598pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 30pF | |
| Gate Charge(Qg) | 8nC |
Einkaufsleitfaden
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| 10+ | $0.5402 | $ 5.4020 |
| 30+ | $0.4780 | $ 14.3400 |
| 100+ | $0.4141 | $ 41.4100 |
| 500+ | $0.3768 | $ 188.4000 |
| 1000+ | $0.3581 | $ 358.1000 |
