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Tokmas CID18N65D
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | CID18N65D |
| Código da Peça EBEE | E822446733 |
| Pacote | DFN-8(8x8) |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | DFN-8(8x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
Saiba mais >>723 Em Estoque para Envio Rápido
723 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2596 | $ 1.2596 |
| 10+ | $1.0354 | $ 10.3540 |
| 30+ | $0.9124 | $ 27.3720 |
| 100+ | $0.7878 | $ 78.7800 |
| 500+ | $0.7255 | $ 362.7500 |
| 1000+ | $0.6975 | $ 697.5000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Nitride de Gálio (GaN) ,GaN Transistores (GaN HEMT) | |
| Folha de Dados | Tokmas CID18N65D | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| RDS (em inglês) | 100mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 0.5pF | |
| Pd - Power Dissipation | 113W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 17A | |
| Ciss-Input Capacitance | 125pF | |
| Gate Charge(Qg) | 3.3nC |
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723 Stock for Shipping Fast
723 available for immediate shippingPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2596 | $ 1.2596 |
| 10+ | $1.0354 | $ 10.3540 |
| 30+ | $0.9124 | $ 27.3720 |
| 100+ | $0.7878 | $ 78.7800 |
| 500+ | $0.7255 | $ 362.7500 |
| 1000+ | $0.6975 | $ 697.5000 |
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