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HXY MOSFET HCG65200DAA
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | HCG65200DAA |
| Código da Peça EBEE | E822396442 |
| Pacote | DFN-8(8x8) |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | DFN-8(8x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
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5 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7225 | $ 2.7225 |
| 10+ | $2.3276 | $ 23.2760 |
| 30+ | $2.0925 | $ 62.7750 |
| 100+ | $1.8552 | $ 185.5200 |
| 500+ | $1.7460 | $ 873.0000 |
| 1000+ | $1.6964 | $ 1696.4000 |
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Especificações
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|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Nitride de Gálio (GaN) ,GaN Transistores (GaN HEMT) | |
| Folha de Dados | HXY MOSFET HCG65200DAA | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 160mΩ | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 0.4pF | |
| Pd - Power Dissipation | 75W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 83pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 27pF | |
| Gate Charge(Qg) | 2.3nC |
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| 10+ | $2.3276 | $ 23.2760 |
| 30+ | $2.0925 | $ 62.7750 |
| 100+ | $1.8552 | $ 185.5200 |
| 500+ | $1.7460 | $ 873.0000 |
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