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HXY MOSFET HIGLD60R190D1
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | HIGLD60R190D1 |
| Código da Peça EBEE | E841426365 |
| Pacote | DFN-8(8x8) |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | DFN-8(8x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
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| 10+ | $3.7189 | $ 37.1890 |
| 30+ | $3.1313 | $ 93.9390 |
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Especificações
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|---|---|---|
| Categoria | Gallium Nitride (GaN) Devices ,GaN Transistors(GaN HEMT) | |
| Folha de Dados | HXY MOSFET HIGLD60R190D1 | |
| RoHS | ||
| Type | 1 N-channel | |
| RDS(on) | 160mΩ@6V | |
| Operating Temperature - | - | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - | |
| Pd - Power Dissipation | 75W | |
| Drain to Source Voltage | - | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Output Capacitance(Coss) | - | |
| Gate Charge(Qg) | - |
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