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HXY MOSFET HIGLD60R190D1
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | HIGLD60R190D1 |
| Código da Peça EBEE | E841426365 |
| Pacote | DFN-8(8x8) |
| Número do Cliente | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | DFN-8(8x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
Saiba mais >>Em Estoque: 196
Mínimo: 1Múltiplos: 1
Preço Unitário
$ 11.6768
Preço Ext.
$ 11.6768
Pode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $11.6768 | $ 11.6768 |
| 10+ | $10.2731 | $ 102.7310 |
| 30+ | $9.4188 | $ 282.5640 |
| 100+ | $8.7015 | $ 870.1500 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Nitride de Gálio (GaN) ,GaN Transistores (GaN HEMT) | |
| RoHS | ||
| Dissipação de energia | 75W | |
| Carga total do portão | - | |
| Drenar a fonte no Estado Resistência | - | |
| Drenar a fonte no Estado Resistência | - | |
| Drenar a fonte no Estado Resistência | 160mΩ | |
| Drenar a fonte no Estado Resistência | - | |
| Drenamento Fonte de Repartição Tensão | - | |
| Resistência no Estado da fonte de drenagem (8V) | - | |
| Rota técnica | - | |
| Tipo do transistor | 1 N-Channel | |
| Corrente de drenagem contínua | 10A | |
| Portão Threshold Voltageu200b | 650V |
Guia de Compras
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| 30+ | $9.4188 | $ 282.5640 |
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