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HXY MOSFET HCG65200DBA
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | HCG65200DBA |
| Código da Peça EBEE | E822396443 |
| Pacote | DFN-8L(5x6) |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | DFN-8L(5x6) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.4184 | $ 3.4184 |
| 10+ | $2.9220 | $ 29.2200 |
| 30+ | $2.6277 | $ 78.8310 |
| 100+ | $2.3289 | $ 232.8900 |
| 500+ | $2.1912 | $ 1095.6000 |
| 1000+ | $2.1301 | $ 2130.1000 |
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Especificações
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|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Nitride de Gálio (GaN) ,GaN Transistores (GaN HEMT) | |
| Folha de Dados | HXY MOSFET HCG65200DBA | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 160mΩ | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 0.4pF | |
| Pd - Power Dissipation | 75W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 83pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 27pF | |
| Gate Charge(Qg) | 2.3nC |
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| 10+ | $2.9220 | $ 29.2200 |
| 30+ | $2.6277 | $ 78.8310 |
| 100+ | $2.3289 | $ 232.8900 |
| 500+ | $2.1912 | $ 1095.6000 |
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